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MOSFET
來源：作者：小哈皮日期：2014-12-05 15:38:26點擊：7241次
金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱全氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
MOSFET的工作原理
要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產(chǎn)生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。如圖3所示（上面↑）。
若先不接VGS(即VGS＝0)，在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結(jié)處于反向，因此漏源之間不能導(dǎo)電。如果在柵極G與源極S之間加一電壓VGS。此時可以將柵極與襯底看作電容器的兩個極板，而氧化物絕緣層作為電容器的介質(zhì)。當(dāng)加上VGS時，在絕緣層和柵極界面上感應(yīng)出正電荷，而在絕緣層和P型襯底界面上感應(yīng)出負(fù)電荷(如圖3)。這層感應(yīng)的負(fù)電荷和P型襯底中的多數(shù)載流子(空穴)的極性相反，所以稱為“反型層”，這反型層有可能將漏與源的兩N型區(qū)連接起來形成導(dǎo)電溝道。當(dāng)VGS電壓太低時，感應(yīng)出來的負(fù)電荷較少，它將被P型襯底中的空穴中和，因此在這種情況時，漏源之間仍然無電流ID。當(dāng)VGS增加到一定值時，其感應(yīng)的負(fù)電荷把兩個分離的N區(qū)溝通形成N溝道，這個臨界電壓稱為開啟電壓(或稱閾值電壓、門限電壓)，用符號VT表示(一般規(guī)定在ID＝10uA時的VGS作為VT)。當(dāng)VGS繼續(xù)增大，負(fù)電荷增加，導(dǎo)電溝道擴大，電阻降低，ID也隨之增加，并且呈較好線性關(guān)系，如圖4所示。此曲線稱為轉(zhuǎn)換特性。因此在一定范圍內(nèi)可以認(rèn)為，改變VGS來控制漏源之間的電阻，達到控制ID的作用。由于這種結(jié)構(gòu)在VGS＝0時，ID＝0，稱這種MOSFET為增強型。另一類MOSFET，在VGS＝0時也有一定的ID(稱為IDSS)，這種MOSFET稱為耗盡型。它的結(jié)構(gòu)如圖5所示，它的轉(zhuǎn)移特性如圖6所示。VP為夾斷電壓(ID＝0)。
耗盡型與增強型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層中有大量的正離子，使在P型襯底的界面上感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，即在兩個N型區(qū)中間的P型硅內(nèi)形成一N型硅薄層而形成一導(dǎo)電溝道，所以在VGS＝0時，有VDS作用時也有一定的ID(IDSS)；當(dāng)VGS有電壓時(可以是正電壓或負(fù)電壓)，改變感應(yīng)的負(fù)電荷數(shù)量，從而改變ID的大小。VP為ID＝0時的-VGS，稱為夾斷電壓。
若先不接VGS(即VGS＝0)，在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結(jié)處于反向，因此漏源之間不能導(dǎo)電。如果在柵極G與源極S之間加一電壓VGS。此時可以將柵極與襯底看作電容器的兩個極板，而氧化物絕緣層作為電容器的介質(zhì)。當(dāng)加上VGS時，在絕緣層和柵極界面上感應(yīng)出正電荷，而在絕緣層和P型襯底界面上感應(yīng)出負(fù)電荷(如圖3)。這層感應(yīng)的負(fù)電荷和P型襯底中的多數(shù)載流子(空穴)的極性相反，所以稱為“反型層”，這反型層有可能將漏與源的兩N型區(qū)連接起來形成導(dǎo)電溝道。當(dāng)VGS電壓太低時，感應(yīng)出來的負(fù)電荷較少，它將被P型襯底中的空穴中和，因此在這種情況時，漏源之間仍然無電流ID。當(dāng)VGS增加到一定值時，其感應(yīng)的負(fù)電荷把兩個分離的N區(qū)溝通形成N溝道，這個臨界電壓稱為開啟電壓(或稱閾值電壓、門限電壓)，用符號VT表示(一般規(guī)定在ID＝10uA時的VGS作為VT)。當(dāng)VGS繼續(xù)增大，負(fù)電荷增加，導(dǎo)電溝道擴大，電阻降低，ID也隨之增加，并且呈較好線性關(guān)系，如圖4所示。此曲線稱為轉(zhuǎn)換特性。因此在一定范圍內(nèi)可以認(rèn)為，改變VGS來控制漏源之間的電阻，達到控制ID的作用。由于這種結(jié)構(gòu)在VGS＝0時，ID＝0，稱這種MOSFET為增強型。另一類MOSFET，在VGS＝0時也有一定的ID(稱為IDSS)，這種MOSFET稱為耗盡型。它的結(jié)構(gòu)如圖5所示，它的轉(zhuǎn)移特性如圖6所示。VP為夾斷電壓(ID＝0)。
耗盡型與增強型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層中有大量的正離子，使在P型襯底的界面上感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，即在兩個N型區(qū)中間的P型硅內(nèi)形成一N型硅薄層而形成一導(dǎo)電溝道，所以在VGS＝0時，有VDS作用時也有一定的ID(IDSS)；當(dāng)VGS有電壓時(可以是正電壓或負(fù)電壓)，改變感應(yīng)的負(fù)電荷數(shù)量，從而改變ID的大小。VP為ID＝0時的-VGS，稱為夾斷電壓。
MOSFET的結(jié)構(gòu)
圖1是典型平面N溝道增強型MOSFET的剖面圖。它用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底(圖la)，在其面上擴散了兩個N型區(qū)(圖lb)，再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiQ2)絕緣層(圖lc)，最后在N區(qū)上方用腐蝕的方法做成兩個孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內(nèi)做成三個電極：G(柵極)、S(源極)及D(漏極)，如圖1d所示。 從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩個PN結(jié)。一般情況下，襯底與源極在內(nèi)部連接在一起。
圖1是N溝道增強型MOSFET的基本結(jié)構(gòu)圖。為了改善某些參數(shù)的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)特性等有不同的結(jié)構(gòu)及工藝，構(gòu)成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結(jié)構(gòu)。圖2是一種N溝道增強型功率MOSFET的結(jié)構(gòu)圖。雖然有不同的結(jié)構(gòu)，但其工作原理是相同的，這里就不一一介紹了。
詳細信息與相關(guān)發(fā)展
目前的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里代表“metal”的第一個字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，現(xiàn)代的MOSFET柵極早已用多晶硅取代了金屬。
MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。
MOSFET里的氧化層位于其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數(shù)十至數(shù)百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide, SiO2），不過有些新的進階制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。
今日半導(dǎo)體元件的材料通常以硅（silicon）為首選，但是也有些半導(dǎo)體公司發(fā)展出使用其他半導(dǎo)體材料的制程，當(dāng)中最著名的例如IBM使用硅與鍺（germanium）的混合物所發(fā)展的硅鍺制程（silicon-germanium process, SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（gallium arsenide, GaAs），因為無法在表面長出品質(zhì)夠好的氧化層，所以無法用來制造MOSFET元件。
當(dāng)一個夠大的電位差施于MOSFET的柵極與源極（source）之間時，電場會在氧化層下方的半導(dǎo)體表面形成感應(yīng)電荷，而這時所謂的“反型層”（inversion channel）就會形成。通道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設(shè)漏極和源極是n-type，那么通道也會是n-type。通道形成后，MOSFET即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由MOSFET的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。
電路符號
常用于MOSFET的電路符號有很多種變化，最常見的設(shè)計是以一條直線代表通道，兩條和通道垂直的線代表源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線代表柵極，如下圖所示。有時也會將代表通道的直線以破折線代替，以區(qū)分增強型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗盡型MOSFET（depletion mode MOSFET）。
由于積體電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（Bulk或是Body）。MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為n-type或是p-type的MOSFET。箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為p-type的MOSFET，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為p-type）；反之若箭頭從基極指向通道，則代表基極為p-type，而通道為n-type，此元件為n-type的MOSFET，簡稱NMOS。在一般分布式 MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在積體電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標(biāo)示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區(qū)別。
MOSFET的操作原理
MOSFET的核心：金屬—氧化層—半導(dǎo)體電容
金屬—氧化層—半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOSFET在結(jié)構(gòu)上以一個金屬—氧化層—半導(dǎo)體的電容為核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵極材料），氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶硅。這樣子的結(jié)構(gòu)正好等于一個電容器（capacitor），氧化層扮演電容器中介電質(zhì)（dielectric material）的角色，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數(shù)（dielectric constant）來決定。柵極多晶硅與基極的硅則成為MOS電容的兩個端點。
當(dāng)一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導(dǎo)體的電荷分布也會跟著改變?？紤]一個p-type的半導(dǎo)體（電洞濃度為NA）形成的MOS電容，當(dāng)一個正的電壓VGB施加在柵極與基極端（如圖）時，電洞的濃度會減少，電子的濃度會增加。當(dāng)VGB夠強時，接近柵極端的電子濃度會超過電洞。這個在p-type半導(dǎo)體中，電子濃度（帶負(fù)電荷）超過電洞（帶正電荷）濃度的區(qū)域，便是所謂的反轉(zhuǎn)層（inversion layer）。
MOS電容的特性決定了MOSFET的操作特性，但是一個完整的MOSFET結(jié)構(gòu)還需要一個提供多數(shù)載子（majority carrier）的源極以及接受這些多數(shù)載子的漏極。
MOSFET的結(jié)構(gòu)
一個NMOS晶體管的立體截面圖左圖是一個n-type MOSFET（以下簡稱NMOS）的截面圖。如前所述，MOSFET的核心是位于中央的MOS電容，而左右兩側(cè)則是它的源極與漏極。源極與漏極的特性必須同為n-type（即NMOS）或是同為p-type（即PMOS）。右圖NMOS的源極與漏極上標(biāo)示的“N+”代表著兩個意義：(1)N代表摻雜（doped）在源極與漏極區(qū)域的雜質(zhì)極性為N；(2)“+”代表這個區(qū)域為高摻雜濃度區(qū)域（heavily doped region），也就是此區(qū)的電子濃度遠高于其他區(qū)域。在源極與漏極之間被一個極性相反的區(qū)域隔開，也就是所謂的基極（或稱基體）區(qū)域。如果是NMOS，那么其基體區(qū)的摻雜就是p-type。反之對PMOS而言，基體應(yīng)該是n-type，而源極與漏極則為p-type（而且是重?fù)诫s的P+）?；w的摻雜濃度不需要如源極或漏極那么高，故在右圖中沒有“+”。
對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載子通過的只有MOS電容正下方半導(dǎo)體的表面區(qū)域。當(dāng)一個正電壓施加在柵極上，帶負(fù)電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓n-type半導(dǎo)體的多數(shù)載子—電子可以從源極流向漏極。如果這個電壓被移除，或是放上一個負(fù)電壓，那么通道就無法形成，載子也無法在源極與漏極之間流動。
假設(shè)操作的對象換成PMOS，那么源極與漏極為p-type、基體則是n-type。在PMOS的柵極上施加負(fù)電壓，則半導(dǎo)體上的電洞會被吸引到表面形成通道，半導(dǎo)體的多數(shù)載子—電洞則可以從源極流向漏極。假設(shè)這個負(fù)電壓被移除，或是加上正電壓，那么通道無法形成，一樣無法讓載子在源極和漏極間流動。
特別要說明的是，源極在MOSFET里的意思是“提供多數(shù)載子的來源”。對NMOS而言，多數(shù)載子是電子；對PMOS而言，多數(shù)載子是電洞。相對的，漏極就是接受多數(shù)載子的端點。
MOSFET的操作模式
NMOS的漏極電流與漏極電壓之間在不同VGS − Vth的關(guān)系
MOSFET在線性區(qū)操作的截面圖
MOSFET在飽和區(qū)操作的截面圖依照在MOSFET的柵極、源極，與漏極等三個端點施加的“偏壓”（bias）不同，一個常見的加強型（enhancement mode）n-type MOSFET有下列三種操作區(qū)間：
截止或次臨限區(qū)（cut-off or sub-threshold region）
當(dāng)柵極和源極間的電壓VGS（G代表柵極，S代表源極）小于一個稱為臨界電壓（threshold voltage, Vth）的值時，這個MOSFET是處在“截止”（cut-off）的狀態(tài)，電流無法流過這個MOSFET，也就是這個MOSFET不導(dǎo)通。
但事實上當(dāng)VGS 在一些擁有大量MOSFET的積體電路產(chǎn)品，如DRAM，次臨限電流往往會造成額外的能量或功率消耗。
三極或線性區(qū)（triode or linear region）
當(dāng)VGS>Vth、且VDS [編輯] MOSFET在電子電路上應(yīng)用的優(yōu)勢
MOSFET在1960年由貝爾實驗室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克萊（William Shockley）等人發(fā)明的雙載子晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）截然不同，且因為制造成本低廉與使用面積較小、高整合度的優(yōu)勢，在大型積體電路（Large-Scale Integrated Circuits, LSI）或是超大型積體電路（Very Large-Scale Integrated Circuits, VLSI）的領(lǐng)域里，重要性遠超過BJT。
近年來由于MOSFET元件的性能逐漸提升，除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位訊號處理的場合上，也有越來越多類比訊號處理的積體電路可以用MOSFET來實現(xiàn)，以下分別介紹這些應(yīng)用。
數(shù)位電路
數(shù)位科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動元件中最快的一種。MOSFET在數(shù)位訊號處理上最主要的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)最大的好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門最基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，同一時間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導(dǎo)通的狀態(tài)下，另一種必定是截止?fàn)顟B(tài)，這使得從電源端到接地端不會有直接導(dǎo)通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了積體電路的發(fā)熱量。
MOSFET在數(shù)位電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）訊號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們最主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動。在CMOS邏輯電路里，除了負(fù)責(zé)驅(qū)動芯片外負(fù)載（off-chip load）的驅(qū)動器（driver）外，每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如最常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設(shè)計工程師而言亦有其他優(yōu)點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負(fù)載效應(yīng)（loading effect）。
模擬電路
有一段時間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計工程師的首選，因為模擬電路設(shè)計重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在積體電路里用來取代傳統(tǒng)的多晶硅電阻（poly resistor），或是MOS電容本身可以用來取代常用的多晶硅—絕緣體—多晶硅電容（PIP capacitor），甚至在適當(dāng)?shù)碾娐房刂葡驴梢员憩F(xiàn)出電感（inductor）的特性，這些好處都是BJT很難提供的。也就是說，MOSFET除了扮演原本晶體管的角色外，也可以用來作為模擬電路中大量使用的被動元件（passive device）。這樣的優(yōu)點讓采用MOSFET實現(xiàn)模擬電路不但可以滿足規(guī)格上的需求，還可以有效縮小芯片的面積，降低生產(chǎn)成本。
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設(shè)計模擬電路的另外一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board, PCB）上使用的積體電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位積體電路上就有很大的競爭優(yōu)勢，在類比積體電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合訊號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter, ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計出效能更好的產(chǎn)品。
近年來還有一種整合MOSFET與BJT各自優(yōu)點的制程技術(shù)：BiCMOS（Bipolar-CMOS）也越來越受歡迎。BJT元件在驅(qū)動大電流的能力上仍然比一般的CMOS優(yōu)異，在可靠度方面也有一些優(yōu)勢，例如不容易被“靜電放電”（ESD）破壞。所以很多同時需要復(fù)噪聲號處理以及強大電流驅(qū)動能力的積體電路產(chǎn)品會使用BiCMOS技術(shù)來制作。
MOSFET的尺寸縮放
過去數(shù)十年來，MOSFET的尺寸不斷地變小。早期的積體電路MOSFET制程里，通道長度約在幾個微米（micrometer）的等級。但是到了今日的積體電路制程，這個參數(shù)已經(jīng)縮小了幾十倍甚至超過一百倍。2006年初，Intel開始以65納米（nanometer）的技術(shù)來制造新一代的微處理器，實際的元件通道長度可能比這個數(shù)字還小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不斷縮小，讓積體電路的效能大大提升，而從歷史的角度來看，這些技術(shù)上的突破和半導(dǎo)體制程的進步有著密不可分的關(guān)系。
為何要把MOSFET的尺寸縮小
基于以下幾個理由，我們希望MOSFET的尺寸能越小越好。第一，越小的MOSFET象征其通道長度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過。雖然通道寬度也可能跟著變小而讓通道等效電阻變大，但是如果能降低單位電阻的大小，那么這個問題就可以解決。其次，MOSFET的尺寸變小意味著柵極面積減少，如此可以降低等效的柵極電容。此外，越小的柵極通常會有更薄的柵極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。不過這樣的改變同時會讓柵極電容反而變得較大，但是和減少的通道電阻相比，獲得的好處仍然多過壞處，而MOSFET在尺寸縮小后的切換速度也會因為上面兩個因素加總而變快。第三個理由是MOSFET的面積越小，制造芯片的成本就可以降低，在同樣的封裝里可以裝下更高密度的芯片。一片積體電路制程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果芯片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產(chǎn)出更多的芯片，于是成本就變得更低了。
雖然MOSFET尺寸縮小可以帶來很多好處，但同時也有很多負(fù)面效應(yīng)伴隨而來。
MOSFET的尺寸縮小后出現(xiàn)的困難
把MOSFET的尺寸縮小到一微米以下對于半導(dǎo)體制程而言是個挑戰(zhàn)，不過現(xiàn)在的新挑戰(zhàn)多半來自尺寸越來越小的MOSFET元件所帶來過去不曾出現(xiàn)的物理效應(yīng)。
次臨限傳導(dǎo)
由于MOSFET柵極氧化層的厚度也不斷減少，所以柵極電壓的上限也隨之變少，以免過大的電壓造成柵極氧化層崩潰（breakdown）。為了維持同樣的性能，MOSFET的臨界電壓也必須降低，但是這也造成了MOSFET越來越難以完全關(guān)閉。也就是說，足以造成MOSFET通道區(qū)發(fā)生弱反轉(zhuǎn)的柵極電壓會比從前更低，于是所謂的次臨限電流（subthreshold current）造成的問題會比過去更嚴(yán)重，特別是今日的積體電路芯片所含有的晶體管數(shù)量劇增，在某些VLSI的芯片，次臨限傳導(dǎo)造成的功率消耗竟然占了總功率消耗的一半以上。
不過反過來說，也有些電路設(shè)計會因為MOSFET的次臨限傳導(dǎo)得到好處，例如需要較高的轉(zhuǎn)導(dǎo)/電流轉(zhuǎn)換比（transconductance-to-current ratio）的電路里，利用次臨限傳導(dǎo)的MOSFET來達成目的的設(shè)計也頗為常見。
芯片內(nèi)部連接導(dǎo)線的寄生電容效應(yīng)
傳統(tǒng)上，CMOS邏輯門的切換速度與其元件的柵極電容有關(guān)。但是當(dāng)柵極電容隨著MOSFET尺寸變小而減少，同樣大小的芯片上可容納更多晶體管時，連接這些晶體管的金屬導(dǎo)線間產(chǎn)生的寄生電容效應(yīng)就開始主宰邏輯門的切換速度。如何減少這些寄生電容，成了芯片效率能否向上突破的關(guān)鍵之一。
芯片發(fā)熱量增加
當(dāng)芯片上的晶體管數(shù)量大幅增加后，有一個無法避免的問題也跟著發(fā)生了，那就是芯片的發(fā)熱量也大幅增加。一般的積體電路元件在高溫下操作可能會導(dǎo)致切換速度受到影響，或是導(dǎo)致可靠度與壽命的問題。在一些發(fā)熱量非常高的積體電路芯片如微處理器，目前需要使用外加的散熱系統(tǒng)來緩和這個問題。
在功率晶體管（Power MOSFET）的領(lǐng)域里，通道電阻常常會因為溫度升高而跟著增加，這樣也使得在元件中pn-接面（pn-junction）導(dǎo)致的功率損耗增加。假設(shè)外置的散熱系統(tǒng)無法讓功率晶體管的溫度保持在夠低的水平，很有可能讓這些功率晶體管遭到熱破壞（thermal runaway）的命運。
柵極氧化層漏電流增加
柵極氧化層隨著MOSFET尺寸變小而越來越薄，目前主流的半導(dǎo)體制程中，甚至已經(jīng)做出厚度僅有1.2納米的柵極氧化層，大約等于5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現(xiàn)象都在量子力學(xué)所規(guī)范的世界內(nèi)，例如電子的穿隧效應(yīng)（tunneling effect）。因為穿隧效應(yīng)，有些電子有機會越過氧化層所形成的位能障壁（potential barrier）而產(chǎn)生漏電流，這也是今日積體電路芯片功耗的來源之一。
為了解決這個問題，有一些介電常數(shù)比二氧化硅更高的物質(zhì)被用在柵極氧化層中。例如鉿（Hafnium）和鋯（Zirconium）的金屬氧化物（二氧化鉿、二氧化鋯）等高介電常數(shù)的物質(zhì)均能有效降低柵極漏電流。柵極氧化層的介電常數(shù)增加后，柵極的厚度便能增加而維持一樣的電容大小。而較厚的柵極氧化層又可以降低電子透過穿隧效應(yīng)穿過氧化層的機率，進而降低漏電流。不過利用新材料制作的柵極氧化層也必須考慮其位能障壁的高度，因為這些新材料的傳導(dǎo)帶（conduction band）和價帶（valence band）和半導(dǎo)體的傳導(dǎo)帶與價帶的差距比二氧化硅?。ǘ趸璧膫鲗?dǎo)帶和硅之間的高度差約為8ev），所以仍然有可能導(dǎo)致柵極漏電流出現(xiàn)。
制程變異更難掌控
現(xiàn)代的半導(dǎo)體制程工序復(fù)雜而繁多，任何一道制程都有可能造成積體電路芯片上的元件產(chǎn)生些微變異。當(dāng)MOSFET等元件越做越小，這些變異所占的比例就可能大幅提升，進而影響電路設(shè)計者所預(yù)期的效能，這樣的變異讓電路設(shè)計者的工作變得更為困難。
MOSFET的柵極材料
理論上MOSFET的柵極應(yīng)該盡可能選擇電性良好的導(dǎo)體，多晶硅在經(jīng)過重?fù)诫s之后的導(dǎo)電性可以用在MOSFET的柵極上，但是并非完美的選擇。目前MOSFET使用多晶硅作為的理由如下：
1. MOSFET的臨界電壓（threshold voltage）主要由柵極與通道材料的功函數(shù)（work function）之間的差異來決定，而因為多晶硅本質(zhì)上是半導(dǎo)體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質(zhì)來改變其功函數(shù)。更重要的是，因為多晶硅和底下作為通道的硅之間能隙（bandgap）相同，因此在降低PMOS或是NMOS的臨界電壓時可以藉由直接調(diào)整多晶硅的功函數(shù)來達成需求。反過來說，金屬材料的功函數(shù)并不像半導(dǎo)體那么易于改變，如此一來要降低MOSFET的臨界電壓就變得比較困難。而且如果想要同時降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別做其柵極材料，對于制程又是一個很大的變量。
2. 硅—二氧化硅接面經(jīng)過多年的研究，已經(jīng)證實這兩種材料之間的缺陷（defect）是相對而言比較少的。反之，金屬—絕緣體接面的缺陷多，容易在兩者之間形成很多表面能階，大為影響元件的特性。
3. 多晶硅的融點比大多數(shù)的金屬高，而在現(xiàn)代的半導(dǎo)體制程中習(xí)慣在高溫下沉積柵極材料以增進元件效能。金屬的融點低，將會影響制程所能使用的溫度上限。
不過多晶硅雖然在過去二十年是制造MOSFET柵極的標(biāo)準(zhǔn)，但也有若干缺點使得未來仍然有部份MOSFET可能使用金屬柵極，這些缺點如下：
1. 多晶硅導(dǎo)電性不如金屬，限制了訊號傳遞的速度。雖然可以利用摻雜的方式改善其導(dǎo)電性，但成效仍然有限。目前有些融點比較高的金屬材料如：鎢（Tungsten）、鈦（Titanium）、鈷（Cobalt）或是鎳（Nickel）被用來和多晶硅制成合金。這類混合材料通常稱為金屬硅化物（silicide）。加上了金屬硅化物的多晶硅柵極有著比較好的導(dǎo)電特性，而且又能夠耐受高溫制程。此外因為金屬硅化物的位置是在柵極表面，離通道區(qū)較遠，所以也不會對MOSFET的臨界電壓造成太大影響。
在柵極、源極與漏極都鍍上金屬硅化物的制程稱為“自我對準(zhǔn)金屬硅化物制程”（Self-Aligned Silicide），通常簡稱salicide制程。
2. 當(dāng)MOSFET的尺寸縮的非常小、柵極氧化層也變得非常薄時，例如現(xiàn)在的制程可以把氧化層縮到一納米左右的厚度，一種過去沒有發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象也隨之產(chǎn)生，這種現(xiàn)象稱為“多晶硅空乏”。當(dāng)MOSFET的反轉(zhuǎn)層形成時，有多晶硅空乏現(xiàn)象的MOSFET柵極多晶硅靠近氧化層處，會出現(xiàn)一個空乏層（depletion layer），影響MOSFET導(dǎo)通的特性。要解決這種問題，金屬柵極是最好的方案。目前可行的材料包括鉭（Tantalum）、鎢、氮化鉭（Tantalum Nitride），或是氮化鈦（Titalium Nitride）。這些金屬柵極通常和高介電常數(shù)物質(zhì)形成的氧化層一起構(gòu)成MOS電容。另外一種解決方案是將多晶硅完全的合金化，稱為FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）制程。
各種常見的MOSFET技術(shù)
雙柵極MOSFET
雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency, RF）積體電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應(yīng)用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數(shù)用來做增益、混頻器或是頻率轉(zhuǎn)換的控制。
空乏式MOSFET
一般而言，空乏式（depletion mode）MOSFET比前述的加強式（enhancement mode）MOSFET少見。空乏式MOSFET在制造過程中改變摻雜到通道的雜質(zhì)濃度，使得這種MOSFET的柵極就算沒有加電壓，通道仍然存在。如果想要關(guān)閉通道，則必須在柵極施加負(fù)電壓?？辗κ組OSFET最大的應(yīng)用是在“常關(guān)型”（normally-off）的開關(guān)，而相對的，加強式MOSFET則用在“常開型”（normally-on）的開關(guān)上。
NMOS邏輯
同樣驅(qū)動能力的NMOS通常比PMOS所占用的面積小，因此如果只在邏輯門的設(shè)計上使用NMOS的話也能縮小芯片面積。不過NMOS邏輯雖然占的面積小，卻無法像CMOS邏輯一樣做到不消耗靜態(tài)功率，因此在1980年代中期后已經(jīng)漸漸退出市場。
功率MOSFET
功率晶體管單元的截面圖。通常一個市售的功率晶體管都包含了數(shù)千個這樣的單元。主條目：功率晶體管
功率MOSFET和前述的MOSFET元件在結(jié)構(gòu)上就有著顯著的差異。一般積體電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結(jié)構(gòu)，晶體管內(nèi)的各端點都離芯片表面只有幾個微米的距離。而所有的功率元件都是垂直式（vertical）的結(jié)構(gòu)，讓元件可以同時承受高電壓與高電流的工作環(huán)境。一個功率MOSFET能耐受的電壓是雜質(zhì)摻雜濃度與n-type磊晶層（epitaxial layer）厚度的函數(shù)，而能通過的電流則和元件的通道寬度有關(guān)，通道越寬則能容納越多電流。對于一個平面結(jié)構(gòu)的MOSFET而言，能承受的電流以及崩潰電壓的多寡都和其通道的長寬大小有關(guān)。對垂直結(jié)構(gòu)的MOSFET來說，元件的面積和其能容納的電流成大約成正比，磊晶層厚度則和其崩潰電壓成正比。
值得一提的是采用平面式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET也并非不存在，這類元件主要用在高級的音響放大器中。平面式的功率MOSFET在飽和區(qū)的特性比垂直結(jié)構(gòu)的對手更好。垂直式功率MOSFET則多半用來做開關(guān)切換之用，取其導(dǎo)通電阻（turn-on resistance）非常小的優(yōu)點。
DMOS
DMOS是雙重擴散MOSFET（double-Diffused MOSFET）的縮寫，它主要用于高壓，屬于高壓MOS管范疇。
以MOSFET實現(xiàn)類比開關(guān)
MOSFET在導(dǎo)通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為類比訊號的開關(guān)（訊號的能量不會因為開關(guān)的電阻而損失太多）。MOSFET作為開關(guān)時，其源極與漏極的分別和其他的應(yīng)用是不太相同的，因為訊號可以從MOSFET柵極以外的任一端進出。對NMOS開關(guān)而言，電壓最負(fù)的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓最正的一端是源極。MOSFET開關(guān)能傳輸?shù)挠嵦枙艿狡鋿艠O—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導(dǎo)致MOSFET燒毀。
MOSFET開關(guān)的應(yīng)用范圍很廣，舉凡需要用到取樣持有電路（sample-and-hold circuits）或是截波電路（chopper circuits）的設(shè)計，例如類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器（A/D converter）或是切換電容濾波器（switch-capacitor filter）上都可以見到MOSFET開關(guān)的蹤影。
單一MOSFET開關(guān)
當(dāng)NMOS用來做開關(guān)時，其基極接地，柵極為控制開關(guān)的端點。當(dāng)柵極電壓減去源極電壓超過其導(dǎo)通的臨界電壓時，此開關(guān)的狀態(tài)為導(dǎo)通。柵極電壓繼續(xù)升高，則NMOS能通過的電流就更大。NMOS做開關(guān)時操作在線性區(qū)，因為源極與漏極的電壓在開關(guān)為導(dǎo)通時會趨向一致。
PMOS做開關(guān)時，其基極接至電路里電位最高的地方，通常是電源。柵極的電壓比源極低、超過其臨界電壓時，PMOS開關(guān)會打開。
NMOS開關(guān)能容許通過的電壓上限為（Vgate-Vthn），而PMOS開關(guān)則為（Vgate+Vthp），這個值通常不是訊號原本的電壓振幅，也就是說單一MOSFET開關(guān)會有讓訊號振幅變小、訊號失真的缺點。
雙重MOSFET（CMOS）開關(guān)
為了改善前述單一MOSFET開關(guān)造成訊號失真的缺點，于是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關(guān)成為目前最普遍的做法。CMOS開關(guān)將PMOS與NMOS的源極與漏極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統(tǒng)接法相同。當(dāng)輸入電壓在（VDD-Vthn）和（VSS+Vthp）時，PMOS與NMOS都導(dǎo)通，而輸入小于（VSS+Vthp）時，只有NMOS導(dǎo)通，輸入大于（VDD-Vthn）時只有PMOS導(dǎo)通。這樣做的好處是在大部分的輸入電壓下，PMOS與NMOS皆同時導(dǎo)通，如果任一邊的導(dǎo)通電阻上升，則另一邊的導(dǎo)通電阻就會下降，所以開關(guān)的電阻幾乎可以保持定值，減少訊號失真。
MOSFET里的氧化層位于其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數(shù)十至數(shù)百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide, SiO2），不過有些新的進階制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。
今日半導(dǎo)體元件的材料通常以硅（silicon）為首選，但是也有些半導(dǎo)體公司發(fā)展出使用其他半導(dǎo)體材料的制程，當(dāng)中最著名的例如IBM使用硅與鍺（germanium）的混合物所發(fā)展的硅鍺制程（silicon-germanium process, SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（gallium arsenide, GaAs），因為無法在表面長出品質(zhì)夠好的氧化層，所以無法用來制造MOSFET元件。
當(dāng)一個夠大的電位差施于MOSFET的柵極與源極（source）之間時，電場會在氧化層下方的半導(dǎo)體表面形成感應(yīng)電荷，而這時所謂的“反型層”（inversion channel）就會形成。通道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設(shè)漏極和源極是n-type，那么通道也會是n-type。通道形成后，MOSFET即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由MOSFET的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。
電路符號
常用于MOSFET的電路符號有很多種變化，最常見的設(shè)計是以一條直線代表通道，兩條和通道垂直的線代表源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線代表柵極，如下圖所示。有時也會將代表通道的直線以破折線代替，以區(qū)分增強型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗盡型MOSFET（depletion mode MOSFET）。
由于積體電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（Bulk或是Body）。MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為n-type或是p-type的MOSFET。箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為p-type的MOSFET，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為p-type）；反之若箭頭從基極指向通道，則代表基極為p-type，而通道為n-type，此元件為n-type的MOSFET，簡稱NMOS。在一般分布式 MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在積體電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標(biāo)示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區(qū)別。
MOSFET的操作原理
MOSFET的核心：金屬—氧化層—半導(dǎo)體電容
金屬—氧化層—半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOSFET在結(jié)構(gòu)上以一個金屬—氧化層—半導(dǎo)體的電容為核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵極材料），氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶硅。這樣子的結(jié)構(gòu)正好等于一個電容器（capacitor），氧化層扮演電容器中介電質(zhì)（dielectric material）的角色，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數(shù)（dielectric constant）來決定。柵極多晶硅與基極的硅則成為MOS電容的兩個端點。
當(dāng)一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導(dǎo)體的電荷分布也會跟著改變?？紤]一個p-type的半導(dǎo)體（電洞濃度為NA）形成的MOS電容，當(dāng)一個正的電壓VGB施加在柵極與基極端（如圖）時，電洞的濃度會減少，電子的濃度會增加。當(dāng)VGB夠強時，接近柵極端的電子濃度會超過電洞。這個在p-type半導(dǎo)體中，電子濃度（帶負(fù)電荷）超過電洞（帶正電荷）濃度的區(qū)域，便是所謂的反轉(zhuǎn)層（inversion layer）。
MOS電容的特性決定了MOSFET的操作特性，但是一個完整的MOSFET結(jié)構(gòu)還需要一個提供多數(shù)載子（majority carrier）的源極以及接受這些多數(shù)載子的漏極。
MOSFET的結(jié)構(gòu)
一個NMOS晶體管的立體截面圖左圖是一個n-type MOSFET（以下簡稱NMOS）的截面圖。如前所述，MOSFET的核心是位于中央的MOS電容，而左右兩側(cè)則是它的源極與漏極。源極與漏極的特性必須同為n-type（即NMOS）或是同為p-type（即PMOS）。右圖NMOS的源極與漏極上標(biāo)示的“N+”代表著兩個意義：(1)N代表摻雜（doped）在源極與漏極區(qū)域的雜質(zhì)極性為N；(2)“+”代表這個區(qū)域為高摻雜濃度區(qū)域（heavily doped region），也就是此區(qū)的電子濃度遠高于其他區(qū)域。在源極與漏極之間被一個極性相反的區(qū)域隔開，也就是所謂的基極（或稱基體）區(qū)域。如果是NMOS，那么其基體區(qū)的摻雜就是p-type。反之對PMOS而言，基體應(yīng)該是n-type，而源極與漏極則為p-type（而且是重?fù)诫s的P+）?；w的摻雜濃度不需要如源極或漏極那么高，故在右圖中沒有“+”。
對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載子通過的只有MOS電容正下方半導(dǎo)體的表面區(qū)域。當(dāng)一個正電壓施加在柵極上，帶負(fù)電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓n-type半導(dǎo)體的多數(shù)載子—電子可以從源極流向漏極。如果這個電壓被移除，或是放上一個負(fù)電壓，那么通道就無法形成，載子也無法在源極與漏極之間流動。
假設(shè)操作的對象換成PMOS，那么源極與漏極為p-type、基體則是n-type。在PMOS的柵極上施加負(fù)電壓，則半導(dǎo)體上的電洞會被吸引到表面形成通道，半導(dǎo)體的多數(shù)載子—電洞則可以從源極流向漏極。假設(shè)這個負(fù)電壓被移除，或是加上正電壓，那么通道無法形成，一樣無法讓載子在源極和漏極間流動。
特別要說明的是，源極在MOSFET里的意思是“提供多數(shù)載子的來源”。對NMOS而言，多數(shù)載子是電子；對PMOS而言，多數(shù)載子是電洞。相對的，漏極就是接受多數(shù)載子的端點。
MOSFET的操作模式
NMOS的漏極電流與漏極電壓之間在不同VGS − Vth的關(guān)系
MOSFET在線性區(qū)操作的截面圖
MOSFET在飽和區(qū)操作的截面圖依照在MOSFET的柵極、源極，與漏極等三個端點施加的“偏壓”（bias）不同，一個常見的加強型（enhancement mode）n-type MOSFET有下列三種操作區(qū)間：
截止或次臨限區(qū)（cut-off or sub-threshold region）
當(dāng)柵極和源極間的電壓VGS（G代表柵極，S代表源極）小于一個稱為臨界電壓（threshold voltage, Vth）的值時，這個MOSFET是處在“截止”（cut-off）的狀態(tài)，電流無法流過這個MOSFET，也就是這個MOSFET不導(dǎo)通。
但事實上當(dāng)VGS 在一些擁有大量MOSFET的積體電路產(chǎn)品，如DRAM，次臨限電流往往會造成額外的能量或功率消耗。
三極或線性區(qū)（triode or linear region）
當(dāng)VGS>Vth、且VDS [編輯] MOSFET在電子電路上應(yīng)用的優(yōu)勢
MOSFET在1960年由貝爾實驗室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla首次實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克萊（William Shockley）等人發(fā)明的雙載子晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）截然不同，且因為制造成本低廉與使用面積較小、高整合度的優(yōu)勢，在大型積體電路（Large-Scale Integrated Circuits, LSI）或是超大型積體電路（Very Large-Scale Integrated Circuits, VLSI）的領(lǐng)域里，重要性遠超過BJT。
近年來由于MOSFET元件的性能逐漸提升，除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位訊號處理的場合上，也有越來越多類比訊號處理的積體電路可以用MOSFET來實現(xiàn)，以下分別介紹這些應(yīng)用。
數(shù)位電路
數(shù)位科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動元件中最快的一種。MOSFET在數(shù)位訊號處理上最主要的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)最大的好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門最基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，同一時間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導(dǎo)通的狀態(tài)下，另一種必定是截止?fàn)顟B(tài)，這使得從電源端到接地端不會有直接導(dǎo)通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了積體電路的發(fā)熱量。
MOSFET在數(shù)位電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）訊號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們最主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動。在CMOS邏輯電路里，除了負(fù)責(zé)驅(qū)動芯片外負(fù)載（off-chip load）的驅(qū)動器（driver）外，每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如最常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設(shè)計工程師而言亦有其他優(yōu)點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負(fù)載效應(yīng)（loading effect）。
模擬電路
有一段時間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計工程師的首選，因為模擬電路設(shè)計重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在積體電路里用來取代傳統(tǒng)的多晶硅電阻（poly resistor），或是MOS電容本身可以用來取代常用的多晶硅—絕緣體—多晶硅電容（PIP capacitor），甚至在適當(dāng)?shù)碾娐房刂葡驴梢员憩F(xiàn)出電感（inductor）的特性，這些好處都是BJT很難提供的。也就是說，MOSFET除了扮演原本晶體管的角色外，也可以用來作為模擬電路中大量使用的被動元件（passive device）。這樣的優(yōu)點讓采用MOSFET實現(xiàn)模擬電路不但可以滿足規(guī)格上的需求，還可以有效縮小芯片的面積，降低生產(chǎn)成本。
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設(shè)計模擬電路的另外一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board, PCB）上使用的積體電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位積體電路上就有很大的競爭優(yōu)勢，在類比積體電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合訊號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter, ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計出效能更好的產(chǎn)品。
近年來還有一種整合MOSFET與BJT各自優(yōu)點的制程技術(shù)：BiCMOS（Bipolar-CMOS）也越來越受歡迎。BJT元件在驅(qū)動大電流的能力上仍然比一般的CMOS優(yōu)異，在可靠度方面也有一些優(yōu)勢，例如不容易被“靜電放電”（ESD）破壞。所以很多同時需要復(fù)噪聲號處理以及強大電流驅(qū)動能力的積體電路產(chǎn)品會使用BiCMOS技術(shù)來制作。
MOSFET的尺寸縮放
過去數(shù)十年來，MOSFET的尺寸不斷地變小。早期的積體電路MOSFET制程里，通道長度約在幾個微米（micrometer）的等級。但是到了今日的積體電路制程，這個參數(shù)已經(jīng)縮小了幾十倍甚至超過一百倍。2006年初，Intel開始以65納米（nanometer）的技術(shù)來制造新一代的微處理器，實際的元件通道長度可能比這個數(shù)字還小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不斷縮小，讓積體電路的效能大大提升，而從歷史的角度來看，這些技術(shù)上的突破和半導(dǎo)體制程的進步有著密不可分的關(guān)系。
為何要把MOSFET的尺寸縮小
基于以下幾個理由，我們希望MOSFET的尺寸能越小越好。第一，越小的MOSFET象征其通道長度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過。雖然通道寬度也可能跟著變小而讓通道等效電阻變大，但是如果能降低單位電阻的大小，那么這個問題就可以解決。其次，MOSFET的尺寸變小意味著柵極面積減少，如此可以降低等效的柵極電容。此外，越小的柵極通常會有更薄的柵極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。不過這樣的改變同時會讓柵極電容反而變得較大，但是和減少的通道電阻相比，獲得的好處仍然多過壞處，而MOSFET在尺寸縮小后的切換速度也會因為上面兩個因素加總而變快。第三個理由是MOSFET的面積越小，制造芯片的成本就可以降低，在同樣的封裝里可以裝下更高密度的芯片。一片積體電路制程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果芯片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產(chǎn)出更多的芯片，于是成本就變得更低了。
雖然MOSFET尺寸縮小可以帶來很多好處，但同時也有很多負(fù)面效應(yīng)伴隨而來。
MOSFET的尺寸縮小后出現(xiàn)的困難
把MOSFET的尺寸縮小到一微米以下對于半導(dǎo)體制程而言是個挑戰(zhàn)，不過現(xiàn)在的新挑戰(zhàn)多半來自尺寸越來越小的MOSFET元件所帶來過去不曾出現(xiàn)的物理效應(yīng)。
次臨限傳導(dǎo)
由于MOSFET柵極氧化層的厚度也不斷減少，所以柵極電壓的上限也隨之變少，以免過大的電壓造成柵極氧化層崩潰（breakdown）。為了維持同樣的性能，MOSFET的臨界電壓也必須降低，但是這也造成了MOSFET越來越難以完全關(guān)閉。也就是說，足以造成MOSFET通道區(qū)發(fā)生弱反轉(zhuǎn)的柵極電壓會比從前更低，于是所謂的次臨限電流（subthreshold current）造成的問題會比過去更嚴(yán)重，特別是今日的積體電路芯片所含有的晶體管數(shù)量劇增，在某些VLSI的芯片，次臨限傳導(dǎo)造成的功率消耗竟然占了總功率消耗的一半以上。
不過反過來說，也有些電路設(shè)計會因為MOSFET的次臨限傳導(dǎo)得到好處，例如需要較高的轉(zhuǎn)導(dǎo)/電流轉(zhuǎn)換比（transconductance-to-current ratio）的電路里，利用次臨限傳導(dǎo)的MOSFET來達成目的的設(shè)計也頗為常見。
芯片內(nèi)部連接導(dǎo)線的寄生電容效應(yīng)
傳統(tǒng)上，CMOS邏輯門的切換速度與其元件的柵極電容有關(guān)。但是當(dāng)柵極電容隨著MOSFET尺寸變小而減少，同樣大小的芯片上可容納更多晶體管時，連接這些晶體管的金屬導(dǎo)線間產(chǎn)生的寄生電容效應(yīng)就開始主宰邏輯門的切換速度。如何減少這些寄生電容，成了芯片效率能否向上突破的關(guān)鍵之一。
芯片發(fā)熱量增加
當(dāng)芯片上的晶體管數(shù)量大幅增加后，有一個無法避免的問題也跟著發(fā)生了，那就是芯片的發(fā)熱量也大幅增加。一般的積體電路元件在高溫下操作可能會導(dǎo)致切換速度受到影響，或是導(dǎo)致可靠度與壽命的問題。在一些發(fā)熱量非常高的積體電路芯片如微處理器，目前需要使用外加的散熱系統(tǒng)來緩和這個問題。
在功率晶體管（Power MOSFET）的領(lǐng)域里，通道電阻常常會因為溫度升高而跟著增加，這樣也使得在元件中pn-接面（pn-junction）導(dǎo)致的功率損耗增加。假設(shè)外置的散熱系統(tǒng)無法讓功率晶體管的溫度保持在夠低的水平，很有可能讓這些功率晶體管遭到熱破壞（thermal runaway）的命運。
柵極氧化層漏電流增加
柵極氧化層隨著MOSFET尺寸變小而越來越薄，目前主流的半導(dǎo)體制程中，甚至已經(jīng)做出厚度僅有1.2納米的柵極氧化層，大約等于5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現(xiàn)象都在量子力學(xué)所規(guī)范的世界內(nèi)，例如電子的穿隧效應(yīng)（tunneling effect）。因為穿隧效應(yīng)，有些電子有機會越過氧化層所形成的位能障壁（potential barrier）而產(chǎn)生漏電流，這也是今日積體電路芯片功耗的來源之一。
為了解決這個問題，有一些介電常數(shù)比二氧化硅更高的物質(zhì)被用在柵極氧化層中。例如鉿（Hafnium）和鋯（Zirconium）的金屬氧化物（二氧化鉿、二氧化鋯）等高介電常數(shù)的物質(zhì)均能有效降低柵極漏電流。柵極氧化層的介電常數(shù)增加后，柵極的厚度便能增加而維持一樣的電容大小。而較厚的柵極氧化層又可以降低電子透過穿隧效應(yīng)穿過氧化層的機率，進而降低漏電流。不過利用新材料制作的柵極氧化層也必須考慮其位能障壁的高度，因為這些新材料的傳導(dǎo)帶（conduction band）和價帶（valence band）和半導(dǎo)體的傳導(dǎo)帶與價帶的差距比二氧化硅?。ǘ趸璧膫鲗?dǎo)帶和硅之間的高度差約為8ev），所以仍然有可能導(dǎo)致柵極漏電流出現(xiàn)。
制程變異更難掌控
現(xiàn)代的半導(dǎo)體制程工序復(fù)雜而繁多，任何一道制程都有可能造成積體電路芯片上的元件產(chǎn)生些微變異。當(dāng)MOSFET等元件越做越小，這些變異所占的比例就可能大幅提升，進而影響電路設(shè)計者所預(yù)期的效能，這樣的變異讓電路設(shè)計者的工作變得更為困難。
MOSFET的柵極材料
理論上MOSFET的柵極應(yīng)該盡可能選擇電性良好的導(dǎo)體，多晶硅在經(jīng)過重?fù)诫s之后的導(dǎo)電性可以用在MOSFET的柵極上，但是并非完美的選擇。目前MOSFET使用多晶硅作為的理由如下：
1. MOSFET的臨界電壓（threshold voltage）主要由柵極與通道材料的功函數(shù)（work function）之間的差異來決定，而因為多晶硅本質(zhì)上是半導(dǎo)體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質(zhì)來改變其功函數(shù)。更重要的是，因為多晶硅和底下作為通道的硅之間能隙（bandgap）相同，因此在降低PMOS或是NMOS的臨界電壓時可以藉由直接調(diào)整多晶硅的功函數(shù)來達成需求。反過來說，金屬材料的功函數(shù)并不像半導(dǎo)體那么易于改變，如此一來要降低MOSFET的臨界電壓就變得比較困難。而且如果想要同時降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別做其柵極材料，對于制程又是一個很大的變量。
2. 硅—二氧化硅接面經(jīng)過多年的研究，已經(jīng)證實這兩種材料之間的缺陷（defect）是相對而言比較少的。反之，金屬—絕緣體接面的缺陷多，容易在兩者之間形成很多表面能階，大為影響元件的特性。
3. 多晶硅的融點比大多數(shù)的金屬高，而在現(xiàn)代的半導(dǎo)體制程中習(xí)慣在高溫下沉積柵極材料以增進元件效能。金屬的融點低，將會影響制程所能使用的溫度上限。
不過多晶硅雖然在過去二十年是制造MOSFET柵極的標(biāo)準(zhǔn)，但也有若干缺點使得未來仍然有部份MOSFET可能使用金屬柵極，這些缺點如下：
1. 多晶硅導(dǎo)電性不如金屬，限制了訊號傳遞的速度。雖然可以利用摻雜的方式改善其導(dǎo)電性，但成效仍然有限。目前有些融點比較高的金屬材料如：鎢（Tungsten）、鈦（Titanium）、鈷（Cobalt）或是鎳（Nickel）被用來和多晶硅制成合金。這類混合材料通常稱為金屬硅化物（silicide）。加上了金屬硅化物的多晶硅柵極有著比較好的導(dǎo)電特性，而且又能夠耐受高溫制程。此外因為金屬硅化物的位置是在柵極表面，離通道區(qū)較遠，所以也不會對MOSFET的臨界電壓造成太大影響。
在柵極、源極與漏極都鍍上金屬硅化物的制程稱為“自我對準(zhǔn)金屬硅化物制程”（Self-Aligned Silicide），通常簡稱salicide制程。
2. 當(dāng)MOSFET的尺寸縮的非常小、柵極氧化層也變得非常薄時，例如現(xiàn)在的制程可以把氧化層縮到一納米左右的厚度，一種過去沒有發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象也隨之產(chǎn)生，這種現(xiàn)象稱為“多晶硅空乏”。當(dāng)MOSFET的反轉(zhuǎn)層形成時，有多晶硅空乏現(xiàn)象的MOSFET柵極多晶硅靠近氧化層處，會出現(xiàn)一個空乏層（depletion layer），影響MOSFET導(dǎo)通的特性。要解決這種問題，金屬柵極是最好的方案。目前可行的材料包括鉭（Tantalum）、鎢、氮化鉭（Tantalum Nitride），或是氮化鈦（Titalium Nitride）。這些金屬柵極通常和高介電常數(shù)物質(zhì)形成的氧化層一起構(gòu)成MOS電容。另外一種解決方案是將多晶硅完全的合金化，稱為FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）制程。
各種常見的MOSFET技術(shù)
雙柵極MOSFET
雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency, RF）積體電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應(yīng)用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數(shù)用來做增益、混頻器或是頻率轉(zhuǎn)換的控制。
空乏式MOSFET
一般而言，空乏式（depletion mode）MOSFET比前述的加強式（enhancement mode）MOSFET少見。空乏式MOSFET在制造過程中改變摻雜到通道的雜質(zhì)濃度，使得這種MOSFET的柵極就算沒有加電壓，通道仍然存在。如果想要關(guān)閉通道，則必須在柵極施加負(fù)電壓?？辗κ組OSFET最大的應(yīng)用是在“常關(guān)型”（normally-off）的開關(guān)，而相對的，加強式MOSFET則用在“常開型”（normally-on）的開關(guān)上。
NMOS邏輯
同樣驅(qū)動能力的NMOS通常比PMOS所占用的面積小，因此如果只在邏輯門的設(shè)計上使用NMOS的話也能縮小芯片面積。不過NMOS邏輯雖然占的面積小，卻無法像CMOS邏輯一樣做到不消耗靜態(tài)功率，因此在1980年代中期后已經(jīng)漸漸退出市場。
功率MOSFET
功率晶體管單元的截面圖。通常一個市售的功率晶體管都包含了數(shù)千個這樣的單元。主條目：功率晶體管
功率MOSFET和前述的MOSFET元件在結(jié)構(gòu)上就有著顯著的差異。一般積體電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結(jié)構(gòu)，晶體管內(nèi)的各端點都離芯片表面只有幾個微米的距離。而所有的功率元件都是垂直式（vertical）的結(jié)構(gòu)，讓元件可以同時承受高電壓與高電流的工作環(huán)境。一個功率MOSFET能耐受的電壓是雜質(zhì)摻雜濃度與n-type磊晶層（epitaxial layer）厚度的函數(shù)，而能通過的電流則和元件的通道寬度有關(guān)，通道越寬則能容納越多電流。對于一個平面結(jié)構(gòu)的MOSFET而言，能承受的電流以及崩潰電壓的多寡都和其通道的長寬大小有關(guān)。對垂直結(jié)構(gòu)的MOSFET來說，元件的面積和其能容納的電流成大約成正比，磊晶層厚度則和其崩潰電壓成正比。
值得一提的是采用平面式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET也并非不存在，這類元件主要用在高級的音響放大器中。平面式的功率MOSFET在飽和區(qū)的特性比垂直結(jié)構(gòu)的對手更好。垂直式功率MOSFET則多半用來做開關(guān)切換之用，取其導(dǎo)通電阻（turn-on resistance）非常小的優(yōu)點。
DMOS
DMOS是雙重擴散MOSFET（double-Diffused MOSFET）的縮寫，它主要用于高壓，屬于高壓MOS管范疇。
以MOSFET實現(xiàn)類比開關(guān)
MOSFET在導(dǎo)通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為類比訊號的開關(guān)（訊號的能量不會因為開關(guān)的電阻而損失太多）。MOSFET作為開關(guān)時，其源極與漏極的分別和其他的應(yīng)用是不太相同的，因為訊號可以從MOSFET柵極以外的任一端進出。對NMOS開關(guān)而言，電壓最負(fù)的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓最正的一端是源極。MOSFET開關(guān)能傳輸?shù)挠嵦枙艿狡鋿艠O—源極、柵極—漏極，以及漏極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導(dǎo)致MOSFET燒毀。
MOSFET開關(guān)的應(yīng)用范圍很廣，舉凡需要用到取樣持有電路（sample-and-hold circuits）或是截波電路（chopper circuits）的設(shè)計，例如類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器（A/D converter）或是切換電容濾波器（switch-capacitor filter）上都可以見到MOSFET開關(guān)的蹤影。
單一MOSFET開關(guān)
當(dāng)NMOS用來做開關(guān)時，其基極接地，柵極為控制開關(guān)的端點。當(dāng)柵極電壓減去源極電壓超過其導(dǎo)通的臨界電壓時，此開關(guān)的狀態(tài)為導(dǎo)通。柵極電壓繼續(xù)升高，則NMOS能通過的電流就更大。NMOS做開關(guān)時操作在線性區(qū)，因為源極與漏極的電壓在開關(guān)為導(dǎo)通時會趨向一致。
PMOS做開關(guān)時，其基極接至電路里電位最高的地方，通常是電源。柵極的電壓比源極低、超過其臨界電壓時，PMOS開關(guān)會打開。
NMOS開關(guān)能容許通過的電壓上限為（Vgate-Vthn），而PMOS開關(guān)則為（Vgate+Vthp），這個值通常不是訊號原本的電壓振幅，也就是說單一MOSFET開關(guān)會有讓訊號振幅變小、訊號失真的缺點。
雙重MOSFET（CMOS）開關(guān)
為了改善前述單一MOSFET開關(guān)造成訊號失真的缺點，于是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關(guān)成為目前最普遍的做法。CMOS開關(guān)將PMOS與NMOS的源極與漏極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統(tǒng)接法相同。當(dāng)輸入電壓在（VDD-Vthn）和（VSS+Vthp）時，PMOS與NMOS都導(dǎo)通，而輸入小于（VSS+Vthp）時，只有NMOS導(dǎo)通，輸入大于（VDD-Vthn）時只有PMOS導(dǎo)通。這樣做的好處是在大部分的輸入電壓下，PMOS與NMOS皆同時導(dǎo)通，如果任一邊的導(dǎo)通電阻上升，則另一邊的導(dǎo)通電阻就會下降，所以開關(guān)的電阻幾乎可以保持定值，減少訊號失真。
